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產(chǎn)品中心

  • BX-Y1249D1000導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1249D1000導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1249D

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1580

    產(chǎn)品描述

    1000導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測(cè)量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測(cè)量.
  • BX-Y1249A400導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1249A400導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1249A

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    4512

    產(chǎn)品描述

    400導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測(cè)量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測(cè)量.
  • BX-Y1249F1200導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1249F1200導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1249F

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1650

    產(chǎn)品描述

    1200導(dǎo)體材料四端測(cè)量高溫電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測(cè)量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測(cè)量.
  • BX-Y1246200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1246200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1246

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1425

    產(chǎn)品描述

    200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
  • BX-Y1246A400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
    BX-Y1246A400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀

    產(chǎn)品型號(hào)

    BX-Y1246A

    廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家

    更新時(shí)間

    2024-05-15

    瀏覽次數(shù)

    1682

    產(chǎn)品描述

    400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測(cè)四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測(cè)量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測(cè)試方法并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
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