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產(chǎn)品型號
BX-Y1249F -
廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家 -
更新時間
2024-05-15 -
瀏覽次數(shù)
1616
產(chǎn)品描述
1200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測量.
18501309179
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產(chǎn)品分類
產(chǎn)品型號
BX-Y1249F廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
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1616產(chǎn)品描述
1200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)體材料電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù)測量需求.常用于金屬類導(dǎo)體材料及非金屬類導(dǎo)體材料測量.
產(chǎn)品型號
BX-Y1246廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
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1393產(chǎn)品描述
200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號
BX-Y1246A廠商性質(zhì)
生產(chǎn)廠家更新時間
2024-05-15瀏覽次數(shù)
1647產(chǎn)品描述
400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號
BX-Y1246B廠商性質(zhì)
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1800產(chǎn)品描述
600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品型號
BX-Y1246C廠商性質(zhì)
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1489產(chǎn)品描述
800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。